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      首頁  產品信息 ns | ps | fs 脈沖激光器  納秒激光器 脈寬可調納秒激光器(芯片缺陷檢測用)

    納秒激光器

    便攜式調Q納秒激光器-Q1(<0.5W, 10-45mJ,10-50Hz)210-2300nm可調諧納秒激光器 (Q-TUNE)便攜式調Q納秒激光器-Q2(<2W, <80mJ, 10-100Hz)超緊湊調Q納秒激光器-Q2HE(<4W, 100mJ,10-100Hz)中功率納秒激光器(1-14W,0-50kHz)-Onda中功率納秒激光器(4-40W,0-200kHz)-SOL超高功率調Q納秒激光器(100-1400mJ,1-100Hz)微型納秒激光器(100uJ,100kHz)1064nm高功率納秒光纖激光器超緊湊1.54um高脈沖能量激光器(12mJ)波形可編程脈沖激光器(MOPAW)1534nm納秒激光器1550nm緊湊型脈沖光纖激光器1550nm單頻脈沖光纖激光器1550nm高功率脈沖光纖激光器脈寬可調納秒激光器(芯片缺陷檢測用) 顯示全部
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    脈寬可調納秒激光器(芯片缺陷檢測用)

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    脈寬可調納秒激光器(芯片缺陷檢測用)


    脈寬可調納秒激光器(芯片缺陷檢測用)此系列激光器為單模激光器,通過內置從輸入的TTL/LVTTL數字信號中產生光脈沖。

    脈寬可調納秒激光器(芯片缺陷檢測用)脈沖長度從1.5 ns -CW 連續可調,脈沖重頻 從單脈沖- 250 MHz可調


    脈寬可調納秒激光器(芯片缺陷檢測用)對于針對應用(熱激光刺激(TLS),Thermal laser stimulation(TLS),芯片存儲讀?。˙BRAM, SRAM)),有著如下特別優勢:


    • 需求:需要盡可能小的光斑來加工待測芯片的集中部分,并定位正作用的芯片具體位置。

      優勢:激光器為單模激光器。輸出纖芯尺寸為6μm,通過配套顯微鏡,可以將它聚焦到1μm以內,提高能流密度


    • 需求:需要時間精度和時間靈活性來使激光脈沖與待測芯片同步、

      優勢:每個激光器抖動小于8 ps。從而可以將PDM+與芯片同步,并在+/8ps時知道激光脈沖何時到達樣品??梢赃x擇從1.5納秒到連CW 脈沖以及從單次發射到250兆赫的任何脈沖


    • 芯片硅很厚,需要高功率

      優勢:有通過定制,峰值功率定制可達10 W。一般測量需要約1 W的功率。在2 W單模激光功率水平下,可以很容易地影響你的芯片,即使是很厚的硅


    • 可靠性和產品支持

      優勢:該系列激光器都是光纖設計激光器。沒有光學移動部件或損失的風險。該模塊是電子安全的,不會因操作不當而損壞。




    PDM - HPP系列激光器參數



    脈寬可調納秒激光器(芯片缺陷檢測用) 主要特征:

    • 脈沖持續時間:1 ns (FWHM)

    • 單次脈沖、burst mode 或 連續

    • Max as 4 W峰值功率

    • 抖動(< 8 ps)

    • 可達 250 MHz重復頻率

    • 包含脈沖延遲發生器

    • Python兼容





    PDM HP 系列參數







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    產品標簽:ALPhANOV,PDM2,PDM2 HP,納秒可調激光器,芯片缺陷檢測用納米激光器