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      首頁  產品信息 材料分析設備 磁學測量 微區磁光克爾(MOKE)效應測量系統

    磁學測量

    高分辨率磁光克爾顯微鏡磁滯回線測量+磁疇觀測克爾顯微鏡小型磁疇觀察顯微鏡微區磁光克爾(MOKE)效應測量系統磁光克爾效應(MOKE)測量系統磁疇觀測克爾顯微鏡金剛石NV色心掃描成像顯微鏡(金剛石氮空位磁測量裝置) 顯示全部
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    微區磁光克爾(MOKE)效應測量系統

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    磁光克爾效應測量系統

    高性價比磁光克爾效應測量系統!


    當一束線偏振光照被磁性介質反射后,反射光的偏振面相對于入射光的偏振面有一個小的角度偏轉(克爾旋轉角),這一現象被稱為磁光克爾效應。后來這一效應被用來材料磁特性的研究。磁光克爾效應測量系統就是一套準確測量克爾旋轉角的設備。磁光克爾效應測量系統是對極向克爾效應和縱向克爾效應克爾偏轉角準確測量的設備,使得該設備成為研究磁性薄膜磁特性的測量工具。廣泛的應用于磁性納米技術、磁性薄膜等磁學領域。

    磁光克爾效應測量系統以激光作為光源,由于樣品磁光克爾效應的磁性信號主要來自于光斑照射的區域,因此磁光克爾效應測量系統具有良好的局域性,可以實現在微米區域內材料磁特性的研究。此外以偏振激光束作為“探針”,因此對樣品不會造成任何損傷,實現對樣品的無損測量,這對于需要做多次測量的樣品是有利的。

    磁光克爾效應測量系統具有極高的靈敏度,對克爾旋轉角的探測精度可達到±0.001度。這一點使該設備在磁性薄膜磁特性的研究中具有重要的地位。利用鐵芯電磁特產生外加磁場,可以提供高達25KOe的外加磁場。

    磁光克爾效應測量系統、磁性測量系統、MOKE system、微米區域克爾磁光效應測量系統、磁滯回線測量裝置

    上海昊量光電設備有限公司的磁光克爾測量系統主要可分為以下三類:
    ①  極向測量磁光克爾效應測量設備(MOKE磁滯回線測量系統)
    代表產品是BH-810系列。BH-810CPC25WF12磁光克爾效應(MOKE)測量設備是其中的一款,主要是對12英寸的垂直磁記錄介質磁特性的測量??梢詼蚀_的探測分析每個探測點的磁滯回線,該產品應用408nm的固體激光器,光斑直徑為1mm,外加磁場可高達25KOe。




    磁光克爾(MOKE)效應測量系統





    磁光克爾(MOKE)效應測量系統
    ②  向測量磁光克爾效應測量設備(MOKE磁滯回線測量系統)
    代表產品BH-618系列。BH-618SK-CA12是一款自動測量晶圓磁特性和各向異性的磁光克爾測量系統??梢詫?2寸的晶圓進行多達400個不同點的磁滯回線的測量,并且探測結果以成像的形式顯示。





    ③   微區域磁光克爾效應測量系統(m-kerr system)(極向+縱向,MOKE磁滯回線測量系統)
    代表產品為BH-920系列。與前兩款產品相比, BH-920系列擁有更小的激光光斑,可以對微米區域內的磁特性進行研究。BH-P920-NH是可進行極向的微區域磁光克爾效應測量系統,該設備具有極高的靈敏度可達到0.001°。與BH-P920-NH相比BH-PI920不但具相同的探測靈敏度并且兼具進行極向和縱向測量。





    u  主要特點
    l  高性能
    l  成本低
    l  高靈敏度(0.001°)
    l  高穩定性
    l  高外加磁場(25KOe)


    u  主要應用
    磁性納米技術、磁性薄膜,磁性材料等磁學領域


    u  測量項目  

    磁滯回線    
    X軸:外加磁場強度 H
    Y軸:克爾旋轉角  qk

    通過磁滯回線可獲得的參數    
    矯頑力 Hc
    各向異性場 Hk
    內稟矯頑力 Hn
    飽和磁場強度 Hs
    剩余磁化強度 qr
    飽和磁化強度 qs


    u  產品主要參數:


    產品型號

    參數

    BH-PI920系列

    BH-P920-NH

    BH-PI920

    BH-810CPC25WF12

    BH-618SK-CA12

    產品特點

    微區域測量系統可滿足縱向/極向測量

    極向微區域克爾測量裝置,具有高靈敏度

    微區域測量系統可滿足縱向/極向測量,具有較高的靈敏度

    極向磁光克爾效應測量,對PMR薄膜晶圓的磁特性測量

    縱向磁光克爾測量系統,可進行多點磁滯回線的測量

    激光光源

    半導體激光器(405nm)  



    半導體激光器 408nm

    半導體激光器(405nm

    光斑直徑

    縱向測量

    約 5mm [1/e2]

    1-2mm

    2-3mm

    1mm

    12mm

    極向測量

    約 2mm [1/e2]

    探測靈敏度

    ± 0.005°

    ±0.001°

    ±0.001°

    ± 0.005°

    ± 0.005°

    探測范圍

    ± 1°





    外加磁場強度

    極向磁體

        >±10kOe

    >±10kOe

    極向磁場

    >±1.5T

    >±25kOe

    >±0.2T

    面內磁場

    >±10kOe

    面內磁場

    >±1T

    可測樣品大小

    551tmm~10101tmm


    55~1010mm

    t0.5~1mm  

    12inch wafer

    12inch wafer








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