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      首頁  產品信息 調制器 | 偏轉器 | 濾波器 光彈調制器 光彈調制器

    光彈調制器

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    光彈調制器

    所屬類別:調制器 | 偏轉器 | 濾波器 ? 光彈調制器

    所屬品牌:美國Hinds Instruments公司

    江浙滬皖山東地區負責人

    姓名:劉工(Reeve)

    電話:185 1625 1865(微信同號)

    郵箱:yi-liu@auniontech.com

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    其他地區負責人

    姓名:王工(Brown)

    電話:131 2288 7099(微信同號)

    郵箱:jian-wang@auniontech.com

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    光彈調制器

    美國Hinds Instruments, Inc公司是光彈調制器的(photoelastic modulators)生產商。Hinds Instruments公司的PEM光彈調制器可以控制光束的偏振狀態的改變,調制速率為20~100kHz。光彈調制器(PEM)的作用就像一個“動態的波片”,可以使快軸和慢軸之間產生一個周期變化的折射率差,從而控制透過光束的偏振進行周期性的變化。具體而言即,光彈調制器(photoelastic modulators)通過對線偏振光添一定的相位使輸出光在圓偏振、橢圓偏振、線偏振等狀態之間井進行變化,同時光彈調制器(PEM)還可以使光在左旋、右旋兩種狀態之間進行切換。


    光彈調制器對比聲光調制器、電光調制器、液晶調制器的獨特之處包括:
    大通光孔徑(15到30mm,標準),同時保持很高的調制器頻率

    超大接受角度(市場角)范圍(+/- 20°)

    波長覆蓋范圍大(170nm~10um,FIR~THz

    高損傷閾值

    可控制相位延遲
     

    美國Hinds Instruments, Inc公司PEM光彈調制器電學和光學頭封裝在不同的部件中。這樣能夠很小化光學系統單元的尺寸,同樣也使得光學頭與磁場或真空兼容(當這些有需要的時候)

    需要進一步了解關于光彈調制器原理,請點擊這里.pdf



    應用舉例:

    光彈調制器在偏振方向調制中的應用介紹.pdf.pdf


    Hinds Instruments光彈調制器主要分為兩個系列:

    Series I 系列光彈調制器使用矩形光學原件,波長覆蓋紫外、可見光和紅外至1或者2um。

    Series II系列光彈調制器使用對稱或者八角形的光學原件,波長覆蓋可見和紅外(到中紅外)頻譜區域。特殊的型號可用于紫外。

     

    Hinds Instruments公司光彈調制器的光學頭使用不同的光學材料,材料的選取主要取決于儀器頻譜透射率的需要。表1列出了通常使用的材料。

     

    TABLE 1



    SPECTRAL REGION

    SERIES

    MATERIAL

    Vacuum UV, UV

    I

    Lithium Fluoride

    Vacuum UV to mid-IR

    I,II

    Calcium Fluoride

    Vacuum UV to near-IR

    I,II

    Fused Silica

    Mid-visible to mid-IR

    II

    Zinc Selenide

    Near- to mid-IR

    II

    Silicon


    相對于Series II八角形光學元件,Series I矩形的光學元件在相同厚度的情況下,相位延遲量更少。在紅外波段,這是一個缺點,但是在紫外波段,尤其是真空紫外,這則變成為了一個很大優點。


    八角形(Series II)光學元件在給定的厚度下更加的有效率,因此在紅外波段有更多的優勢。使用Series II操作低延遲量(例如:深紫外)或許會造成一些問題。


    可選選項(規格和價格會因為客戶需要而改變,詳情詢問昊量光電的工程師)

    • 增透膜,Model ARC。防反射膜可用于任何光學調制器上,窄帶寬和寬帶寬鍍膜都可得。

    • 請聯系昊量光電關于頻譜范圍和透射率要求

    • 無干涉選項,Model NIO。這一項用于偏轉光束路徑,因此消除了調制器干涉

    • 特殊頻率,Model SFO。標準的調制頭配以特殊頻率

    • 特殊光學頭/電學頭電纜,Model SLHH

    • 特殊調制頭附件,Model SHE。光學頭可以根據客戶需要提供特殊形狀

    • 真空操作。PEM可用于真空環境,詳情請詢問Hinds

    • 磁場兼容選項,Model MFC。光學頭不含任何磁鐵材料,用于強磁場中


    基本指標

    Model

    Optical Material

    Nominal

    Frequency

    Retardation Range

    Useful

    Aperture1

    Quarter Wave

    Half Wave

    I/FS50

    Fused Silica

    50 kHz

    170nm - 2μm

    170nm - 1μm

    16mm

    I/FS20

    Fused Silica

    20 KHz

    170nm - 2μm

    170nm - 1μm

    22mm

    I/CF50

    Calcium Fluoride

    50 kHz

    130nm - 2μm

    130nm - 1μm

    16mm

    II/FS20A

    Fused Silica

    20 kHz

    170nm - 2μm

    170nm - 1μm

    56mm

    II/FS20B

    Fused Silica

    20 kHz

    1.6μm - 2.6μm

    800nm - 2.5μm

    56mm

    II/FS42A

    Fused Silica

    42 kHz

    170nm - 2μm

    170nm - 1μm

    27mm

    II/FS42B

    Fused Silica

    42 kHz

    1.6μm - 2.6μm

    800nm - 2.5μm

    27mm

    II/FS47A

    Fused Silica

    47 kHz

    170nm - 2μm

    170nm - 1μm

    24mm

     

    II/FS47B

    Fused Silica

    47 kHz

    1.6μm - 2.6μm

    800nm - 2.5μm

    24mm

    II/FS84

    Fused Silica

    84 kHz

    800nm - 2.5μm

    400nm - 2.5μm

    13mm

    II/IS42B

    Fused Silica

    42 kHz

    1.6μm - 3.5μm

    800nm - 2.5μm

    27mm

    II/IS84

    Fused Silica

    84 kHz

    800nm - 3.5μm

    400nm - 1.8μm

    27mm

    II/CF57

    Calcium Fluoride

    57 kHz

    2μm - 8.5μm

    1μm - 5.5μm

    23mm

    II/ZS37

    Zinc Selenide

    37 kHz

    2μm - 18μm

    1μm - 9μm

    19mm

    II/ZS50

    Zinc Selenide

    50 kHz

    2μm - 18μm

    1μm - 10μm

    14mm

    II/SI40

    Silicon

    40 kHz

    FIR - THz

    FIR - THz

    36mm

    II/SI50

    Silicon

    50 KHz

    FIR - THz

    FIR - THz

    29mm